Nagy tisztaságú fémek többíves célpontok

Nagy tisztaságú fémek többíves célpontok

fémből készült többívű céltáblák, fémből és ötvözetből készült körcélok
Anyaga: Titán céltárgy, TiAl ötvözet céltárgy, Mo, Zr, Ta, Nb, NbZr, Ni, Si, Sn, NiGr (8:2)
Tisztaság: 2N5-4N
Feldolgozási technológia: olvasztás, kovácsolás és megmunkálás, HIP
MOQ: 5db

A termék bemutatása

Fém és ötvözet többíves körcélok

1. Tisztaság: 2N8,3N,3N5.4N,4N5,5N

2. Technika és felület: Kovácsolt, csiszolt, fényes fényes felület, CÍP

3. Forma / forma: kör alakú / sík / cső alakú / kerek / lemez / cső, egyedi rajz szerint

4. Méret:

Kerek átmérője: 60-1000 mm, vastagsága: 10-1500 mm

Lemezvastagság (15-30)*szélesség (50-1500)*hossz (100-2000)mm

Cső átmérője: 20-300 mm, vastagsága: 5-60 mm, hossza: 50-2000 mm

Egyéb Kapcsolódó

Lapos/kerek nagy tisztaságú 99,99% és 99,995 között fém célanyag Króm Cr porlasztási cél

Fém: Ti, Ni, Cu, Co, Cr, Al, Fe, V, Zn, Sn, W, Mo, Ta, Nb, Zr, Hf, Ge, Bi, Sb, Mg, Mn stb.

Fémötvözet célpontok: Mo, Zr, Ta,Nb, NbZr, Ni,Si,Sn, NiGr(8:2), NiGr(95:5),NiV, NiCu, NiCr, NiFe, TiAl, AlCr, SiAl, CoFe, CoCr, VFe, TiCr, TiV, NiTi, NbTi, WTi, WCu, SiGe, CoTaZr, CuNiMn stb. speciális ötvözetek testre szabhatók.

Ritkaföldfém célpontok: Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Nd, Sm, Er, Tm, Yb stb. más ötvözetek testreszabhatók.

Nagy tisztaságú fém: Ni, Ti, Al, V, Co, Cu, Ta, Nb, W, Mo, Cr, Ag, Au stb.

Fémtégely: W, Mo, Ta, Nb, Cu stb
Fémkúp: Ni, Ti, Co, Cr, Ta, Nb, W, Mo stb.

Alkalmazás

A célpont olyan porlasztóforrásra utal, amely alkalmas eljárási körülmények között, magnetronos porlasztással, többíves ionos bevonattal vagy más bevonatrendszerrel képes különféle funkcionális vékony filmeket porlasztani egy hordozón (üveg, PET stb.).

A magnetronos porlasztórendszer egy Gauss-féle erős mágnest helyez a negatív célpont mögé, és a vákuumkamrát bizonyos mennyiségű inert gázzal (Ar) töltik fel kisülési hordozóként. Nagy nyomás hatására az Ar atomok Ar+ ionokká és elektronokká ionizálódnak, ami plazma izzó kisülést eredményez. A légy szubsztráthoz való gyorsulása során az elektronokra az elektromos térre merőleges mágneses tér hat, amely eltéríti az elektronokat és a célközeli felülethez kötődik. A plazmaterületen az elektronok spirálisan haladnak előre a célfelületen, és a mozgás során folyamatosan ütköznek az Ar atomokkal, nagy mennyiségű Ar+ iont ionizálva. Többszöri ütközés után az elektronok energiája fokozatosan csökken, megszabadulva a mágneses erővonalaktól, végül a hordozóra, a vákuumkamra belső falára és a célforrásra esik.

Népszerű tags:

Akár ez is tetszhet

(0/10)

clearall